GT30J121Q, Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
68 шт., срок 7 недель
1 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 010 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор IGBT, 600В, 30А, 170Вт, TO3PN Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO3PN |
| Collector current | 30A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 170W |
| Pulsed collector current | 60A |
| Turn-off time | 430ns |
| Turn-on time | 240ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 4.84 |
Техническая документация
Datasheet GT30J121
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
