2N7002-T1-E3, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 800мА, 200мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт. —
20 руб.
от 100 шт. —
17 руб.
от 1000 шт. —
12.42 руб.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 280 руб.
Посмотреть аналоги14
Описание
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.115 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7500 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 0.8 |
Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Gate Plateau Voltage (V) | 4 |
Typical Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 22 25V |
Typical Output Capacitance (pF) | 11 |
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 2 25V |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 62 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов