2N7002-T1-E3, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 800мА, 200мВт, SOT23

2N7002-T1-E3, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 60В, 800мА, 200мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
28 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 25 шт.20 руб.
от 100 шт.17 руб.
от 1000 шт.12.42 руб.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 280 руб.
Посмотреть аналоги14
Номенклатурный номер: 8002649653
Артикул: 2N7002-T1-E3

Описание

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lead Shape Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A) 0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 7500 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 2.5
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Positive Gate Source Voltage (V) 20
Maximum Power Dissipation (mW) 200
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) 0.8
Minimum Gate Threshold Voltage (V) 1
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operating Junction Temperature (°C) -55 to 150
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Typical Gate Plateau Voltage (V) 4
Typical Gate Threshold Voltage (V) 2
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 22 25V
Typical Output Capacitance (pF) 11
Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) 2 25V
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 62 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов