2SK209-GR, Транзистор: N-JFET, полевой, 6,5мА, 150мВт, SC59, Igt: 10мА

Фото 1/3 2SK209-GR, Транзистор: N-JFET, полевой, 6,5мА, 150мВт, SC59, Igt: 10мА
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2357 шт., срок 6 недель
260 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002660641
Артикул: 2SK209-GR
Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-JFET, полевой, 6,5мА, 150мВт, SC59, Igt: 10мА Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид JFET

Технические параметры

Case SC59
Drain current 6.5mA
Gate current 10mA
Gate-source voltage -50V
Kind of package reel, tape
Manufacturer TOSHIBA
Mounting SMD
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.15W
Type of transistor N-JFET
Channel Type N
Idss Drain-Source Cut-off Current 14mA
Maximum Gate Source Voltage -50 V
Package Type S-MINI
Pin Count 3
Вес, г 0.07

Техническая документация

Datasheet
pdf, 277 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.