VP2106N3-G, Транзистор P-МОП, -60В, -500мА, 1Вт, TO92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
от 5 шт. —
220 руб.
от 25 шт. —
172 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 330 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы Supertex с P-каналом
Линейка полевых DMOS-транзисторов Supertex с P-канальным режимом (нормально выключенных) от Microchip подходит для широкого диапазона коммутационных и усилительных приложений, требующих низкое пороговое напряжение, высокое напряжение пробоя, высокое входное сопротивление, низкая входная емкость и высокая скорость переключения.
Линейка полевых DMOS-транзисторов Supertex с P-канальным режимом (нормально выключенных) от Microchip подходит для широкого диапазона коммутационных и усилительных приложений, требующих низкое пороговое напряжение, высокое напряжение пробоя, высокое входное сопротивление, низкая входная емкость и высокая скорость переключения.
Технические параметры
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Length | 5.08mm |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Brand | Microchip |
| Максимальный непрерывный ток стока | 250 mA |
| Package Type | TO-92 |
| Maximum Power Dissipation | 1 Вт |
| Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Ширина | 4.06mm |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3.5V |
| Высота | 5.33mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 15 Ω |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Число контактов | 3 |
| Материал транзистора | Кремний |
| Номер канала | Поднятие |
| Channel Type | P |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 В, +20 В |
| Forward Diode Voltage | 2V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Si |
| Width | 4.06mm |
| Вес, г | 0.22 |
