AOD482, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 50Вт
![Фото 1/3 AOD482, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 50Вт](https://static.chipdip.ru/lib/461/DOC004461995.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757654.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/123/DOC044123644.jpg)
280 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 4 шт. —
250 руб.
от 8 шт. —
219 руб.
от 15 шт. —
211 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 560 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32А 50Вт
Технические параметры
Корпус | TO-252 | |
Automotive | Unknown | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 32 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 37@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?20 | |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2.7 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 100000 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Operating Temperature - (?C) | -55~175 | |
Pin Count | 3 | |
Process Technology | TMOS | |
Standard Package Name | TO-252 | |
Supplier Package | DPAK | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 34 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 34@10VI18@4.5V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1630@50V | |
Вес, г | 0.793 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары