Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BSS138AKAR, Транзистор N-MOSFET, полевой ...

BSS138AKAR, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

625 шт., срок 6 недель

50 руб.

Кратность заказа 5 шт.

от 25 шт. — 20 руб.

от 100 шт. — 16 руб.

от 500 шт. — 11.96 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 250 руб.

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8002738967

Артикул: BSS138AKAR

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMD

Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 125мА, 360мВт, SOT23 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	200 mA
Pd - рассеивание мощности	1.06 W
Qg - заряд затвора	0.39 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns
Время спада	22 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	320 mS
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	36 ns
Типичное время задержки при включении	5 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	TO-236AB-3
Continuous Drain Current (Id)	200mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	4.5Ω@100mA, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1.5V@250mA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	47pF@30V
Operating Temperature	-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)	300mW;1.06W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)	-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	510pC@4.5V
Type	null
Вес, г	0.02