BCX51-16.135

Фото 1/2 BCX51-16.135
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
17 руб.
Мин. кол-во для заказа 23 шт.
Добавить в корзину 23 шт. на сумму 391 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8002775926
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Транзисторы и сборки биполярные
Биполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE13

Технические параметры

Корпус to243
кол-во в упаковке 4000
Pd - рассеивание мощности 1300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 4.6 mm
Другие названия товара № /T3 BCX51-16
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 100 at 150 mA at 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 145 MHz
Размер фабричной упаковки 4000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-89-3
Ширина 2.6 mm
Brand Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO 45 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Configuration Single
DC Current Gain HFE Max 100 at 150 mA, 2 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 4000
Gain Bandwidth Product FT 145 MHz
Manufacturer Nexperia
Maximum DC Collector Current 1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-89-3
Packaging Cut Tape or Reel
Part # Aliases /T3 BCX51-16
Pd - Power Dissipation 1300 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Transistor Polarity PNP
Вес, г 0.128

Техническая документация

Datasheet
pdf, 788 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов