SQD50P08-25L_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
810 руб.
от 2 шт. —
690 руб.
от 5 шт. —
620 руб.
от 10 шт. —
581.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 810 руб.
Описание
Электроэлемент
Mosfet, P-Ch, 80V, 50A, 175Deg C, 136W Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD50P08-25L_GE3
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5350pF @ 25V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 136W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 10.5A, 10V |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 50(A) |
Drain-Source On-Volt | 80(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 175C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-252AA |
Pin Count | 2+Tab |
Polarity | P |
Power Dissipation | 136(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
Непрерывный Ток Стока | 50А |
Полярность Транзистора | P Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 136Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252AA |
Вес, г | 0.17 |
Техническая документация
Datasheet SQD50P08-25L_GE3
pdf, 164 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары