Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SQS850EN-T1_GE3

SQS850EN-T1_GE3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

290 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 230 руб.

от 10 шт. — 198 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 580 руб.

Номенклатурный номер: 8002887021

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Электроэлемент

Mosfet, N-Ch, 60V, 12A, Powerpak 1212 Rohs Compliant: Yes |Vishay SQS850EN-T1_GE3

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	12A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2021pF @ 30V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	PowerPAKВ® 1212-8
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	33W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21.5mOhm @ 6.1A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAKВ® 1212-8
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250ВµA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.018Ом
Power Dissipation	33Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	TrenchFET
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	12А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	33Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.018Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	PowerPAK 1212
Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1
Fall Time:	9.3 ns
Forward Transconductance - Min:	33 S
Id - Continuous Drain Current:	12 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	PowerPAK-1212-8
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	33 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	41 nC
Qualification:	AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance:	18 mOhms
Rise Time:	9.6 ns
Series:	SQ
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	TrenchFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	25 ns
Typical Turn-On Delay Time:	9 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Вес, г	0.92