STB6N80K5, Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
254 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 18 шт. —
84 руб.
от 35 шт. —
81 руб.
от 70 шт. —
77 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5A
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A | |
Pd - рассеивание мощности | 110 W | |
Qg - заряд затвора | 7.5 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.6 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Коммерческое обозначение | MDmesh | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | STB6N80K5 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Торговая марка | STMicroelectronics | |
Упаковка / блок | TO-263-3 | |
кол-во в упаковке | 1 | |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1266 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.