STB6N80K5, Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5A

Фото 1/3 STB6N80K5, Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
254 шт. со склада г.Москва, срок 2 недели
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 18 шт.84 руб.
от 35 шт.81 руб.
от 70 шт.77 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 550 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8002894542
Артикул: STB6N80K5
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 4.5A

Технические параметры

Корпус D2Pak(TO-263)
Id - непрерывный ток утечки 4.5 A
Pd - рассеивание мощности 110 W
Qg - заряд затвора 7.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STB6N80K5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка / блок TO-263-3
кол-во в упаковке 1
Вес, г 1.2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1266 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.