IPB044N15N5ATMA1, Транзистор полевой N-канальный 150В 174А 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
850 руб.
от 4 шт. —
760 руб.
от 7 шт. —
708 руб.
от 14 шт. —
668 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 150В 174А 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке
Технические параметры
| Корпус | D2PAK-7 | |
| Brand | Infineon Technologies | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | 1 N-Channel | |
| Factory Pack Quantity | 1000 | |
| Fall Time | 5 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 72 S | |
| Height | 4.4 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 174 A | |
| Length | 10 mm | |
| Manufacturer | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | SMD/SMT | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-263-7 | |
| Packaging | Reel | |
| Part # Aliases | IPB044N15N5 SP001326442 | |
| Pd - Power Dissipation | 300 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 100 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.4 mOhms | |
| Rise Time | 6 ns | |
| RoHS | Details | |
| Technology | Si | |
| Tradename | OptiMOS | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 19 ns | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V | |
| Width | 9.25 mm | |
| Channel Type | N Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.0034Ом | |
| Power Dissipation | 300Вт | |
| Квалификация | - | |
| Количество Выводов | 7вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 | |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В | |
| Непрерывный Ток Стока | 174А | |
| Полярность Транзистора | N Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В | |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0034Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Maximum Continuous Drain Current | 174 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0044 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.6V | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK-7 | |
| Pin Count | 7 | |
| Series | OptiMOS™ 5 | |
| Transistor Material | Si | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IPB044N15N5ATMA1
pdf, 1100 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
