STGP3NC120HD, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
306 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
320 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 6 шт. —
270 руб.
от 11 шт. —
264 руб.
от 22 шт. —
254 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 640 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 7 А, 75 Вт
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| Case | TO220AB | |
| Collector current | 7A | |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV | |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode | |
| Gate charge | 24nC | |
| Gate-emitter voltage | ±20V | |
| Kind of package | tube | |
| Manufacturer | STMicroelectronics | |
| Mounting | THT | |
| Power dissipation | 75W | |
| Pulsed collector current | 20A | |
| Type of transistor | IGBT | |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 763 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
