SQJ481EP-T1_GE3, MOSFET -80V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

280 руб.

от 10 шт. — 220 руб.

от 100 шт. — 160 руб.

от 500 шт. — 126.56 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.

Номенклатурный номер: 8007200761

Артикул: SQJ481EP-T1_GE3

Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -80В, -9,2А, 15Вт, PowerPAK® SO8 Характеристики

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	16A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case	8-PowerTDFN
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	45W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 10A, 10V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ®
Supplier Device Package	PowerPAKВ® SO-8
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250ВµA
Вес, г	1