Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › TN2504N8-G

TN2504N8-G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

760 руб.

от 2 шт. — 640 руб.

от 5 шт. — 570 руб.

от 7 шт. — 540 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 руб.

Номенклатурный номер: 8002971993

Бренд: Microchip Technology

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 40V, 1.0 Ohm3 SOT-89 T/R | Microchip Technology Inc. TN2504N8-G

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Continuous Drain Current	0.89(A)
Drain-Source On-Volt	40(V)
Gate-Source Voltage (Max)	±20(V)
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	SOT-89
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	3+Tab
Polarity	N
Power Dissipation	1.6(W)
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	890 mA
Pd - рассеивание мощности	1.6 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	25 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm
Вес, г	0.0528