Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Транзисторы цифровые (BRTs) › ON Semiconductor › DTA123EM3T5G

DTA123EM3T5G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

120 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 62 руб.

от 10 шт. — 44 руб.

от 100 шт. — 26.34 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.

Номенклатурный номер: 8002972397

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

DTA123 - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A, 50V, PNP

Технические параметры

Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	0.1 A
DC Current Gain hFE Min	80 @ 5mA @ 10V
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Package / Case	D2PAK
Packaging	Reel
Peak DC Collector Current	100 mA
Power Dissipation	260 mW
Product Category	Digital Transistors
Transistor Polarity	PNP
Typical Input Resistor	2.2 K Ohm
Typical Resistor Ratio	0.1
Pd - рассеивание мощности	260 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.5 mm
Длина	1.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	8, 15
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	80
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	DTA123EM3
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.1
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-723-3
Ширина	0.8 mm
Вес, г	0.0119