MJD42C1G

MJD42C1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.190 руб.
от 10 шт.164 руб.
от 11 шт.157.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 520 руб.
Номенклатурный номер: 8002972498

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:-6A; DC Current Gain hFE:15hFE; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Base Part Number MJD42
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Current - Collector Cutoff (Max) 50ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition 3MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 1.75W
Series -
Supplier Device Package I-PAK
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Pd - рассеивание мощности 1.75 W
Высота 6.35 mm (Max)
Длина 6.73 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30 at 0.3 A at 4 V, 15 at 3 A at 4 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 6 A
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 3 MHz
Размер фабричной упаковки 75
Серия MJD42C
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка Tube
Упаковка / блок IPAK-3
Ширина 2.38 mm (Max)
Вес, г 0.426

Техническая документация

Datasheet
pdf, 88 КБ
Datasheet
pdf, 84 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов