MJD112G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
117 руб.
от 100 шт. —
96.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Посмотреть аналоги3
Описание
Электроэлемент
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK;; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:12hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
Base-Emitter Saturation Voltage (Max) | 4(V) |
Collector Current (DC) | 2(A) |
Collector-Base Voltage | 100(V) |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2(V) |
Collector-Emitter Voltage | 100(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 500 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Maximum Collector Cut-off Current | 20 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | DPAK |
Packaging | Rail/Tube |
Pin Count | 2+Tab |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 1.75(W) |
Rad Hardened | No |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4 V |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
Maximum Continuous Collector Current | 2 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 20 W |
Minimum DC Current Gain | 1000 |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Width | 6.22mm |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов