MJD112G

Фото 1/3 MJD112G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.140 руб.
от 10 шт.117 руб.
от 100 шт.96.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 400 руб.
Посмотреть аналоги3
Номенклатурный номер: 8002973324

Описание

Электроэлемент
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK;; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:12hFE; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Base-Emitter Saturation Voltage (Max) 4(V)
Collector Current (DC) 2(A)
Collector-Base Voltage 100(V)
Collector-Emitter Saturation Voltage 2(V)
Collector-Emitter Voltage 100(V)
Configuration Single
DC Current Gain 500
Emitter-Base Voltage 5(V)
Maximum Collector Cut-off Current 20
Mounting Surface Mount
Number of Elements 1
Operating Temp Range -65C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type DPAK
Packaging Rail/Tube
Pin Count 2+Tab
Polarity NPN
Power Dissipation 1.75(W)
Rad Hardened No
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4 V
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Continuous Collector Current 2 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 20 W
Minimum DC Current Gain 1000
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Width 6.22mm
Вес, г 0.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 148 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов