MJD127G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
160 руб.
от 10 шт. —
137 руб.
от 75 шт. —
115.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 460 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги2
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: PNP, биполярный, Дарлингтон, 100В, 8А, 20Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 8 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 100, 1000 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Height | 2.38 mm |
Length | 6.73 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum Collector Cut-off Current | 10 uA |
Maximum DC Collector Current | 8 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3(DPAK) |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 20 W |
Product Category | Darlington Transistors |
RoHS | Details |
Series | MJD127 |
Transistor Polarity | PNP |
Width | 6.22 mm |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
MJD122
pdf, 107 КБ
MJD122, NJVMJD122 (NPN), MJD127, NJVMJD127 (PNP)
pdf, 100 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов