MJD31CG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
125 руб.
от 100 шт. —
111.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 3А, 15Вт, DPAK Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 100 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 3 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 75 |
Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
Height | 2.38 mm |
Length | 6.73 mm |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 1.56 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | MJD31C |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.01411 oz |
Width | 6.22 mm |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 95 КБ
MJD31 (NPN), MJD32 (PNP)
pdf, 279 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов