Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Microchip › VP3203N3-G

VP3203N3-G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

540 руб.

от 2 шт. — 450 руб.

от 5 шт. — 375 руб.

от 10 шт. — 347.76 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 руб.

Номенклатурный номер: 8002978678

Бренд: Microchip Technology

Описание

Электроэлемент

MOSFET, P-CH, -0.65A, -30V, TO-92-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-650mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Continuous Drain Current	0.65(A)
Drain-Source On-Volt	30(V)
Gate-Source Voltage (Max)	±20(V)
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	TO-92
Packaging	Bag
Pin Count	3
Polarity	P
Power Dissipation	0.74(W)
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Case	TO92
Drain current	-650mA
Drain-source voltage	-30V
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	bulk
Manufacturer	MICROCHIP TECHNOLOGY
On-state resistance	0.6Ω
Polarisation	unipolar
Pulsed drain current	-4A
Type of transistor	P-MOSFET
Вес, г	0.36