HGTG18N120BND
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 780 руб.
от 2 шт. —
2 590 руб.
от 5 шт. —
2 470 руб.
от 10 шт. —
2 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 780 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, N, TO-247; DC Collector Current:54A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.7V; Power Dissipation Pd:390W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic @ Vce Sat:18A; Current Ic Continuous a Max:54A; Device Marking:HGTG18N120BND; Fall Time Max:140ns; Fall Time Typ:90ns; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Max:390W; Pulsed Current Icm:160A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:1.2kV
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 54A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| Gate Charge | 165nC |
| IGBT Type | NPT |
| Input Type | Standard |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 390W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 1.9mJ(on), 1.8mJ(off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 23ns/170ns |
| Test Condition | 960V, 18A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 18A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 10.89 |
Техническая документация
Документация
pdf, 372 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
