IXTP3N50D2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
1 820 руб.
от 2 шт. —
1 690 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 820 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:500V; Continuous Drain Current Id:3A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:0V; Gate Source Threshol 03AH1675
Технические параметры
| Brand | IXYS |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 42 ns |
| Forward Transconductance - Min | 1.3 S |
| Height | 16 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Length | 10.66 mm |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 40 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 Ohms |
| Rise Time | 71 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXTP3N50 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | Depletion Mode MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 56 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 27 ns |
| Unit Weight | 0.08113 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Width | 4.83 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.5Ом |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 0В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Полярность Транзистора | N Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.5Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Вес, г | 0.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 156 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
