IXTP50N20PM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
3 880 руб.
от 2 шт. —
3 690 руб.
от 4 шт. —
3 540 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 880 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET транзистор; N-канальный; 200В; 20А; 60мОм; корпус OVERMOLDED TO-220
Технические параметры
RoHS | Подробности |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 35 ns |
Время спада | 30 ns |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | +175 C |
Минимальная рабочая температура | -55 C |
Напряжение пробоя затвор-исток | +/-20 V |
Напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Непрерывный ток стока | 20 A |
Полярность транзистора | N-Channel |
Производитель | IXYS |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Рассеяние мощности | 90 W |
Сопротивление сток-исток | 66 mOhms |
Типичное время задержки выключения | 70 ns |
Упаковка | TUBE |
Упаковка / блок | TO-220 |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
IXTP50N20PM
pdf, 124 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.