2N4920G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
180 руб.
от 10 шт. —
149 руб.
от 22 шт. —
136.08 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:2NXXXX Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600mV; Device Marking:2N4920; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:25; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Voltage Vcbo:80V
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 1(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 3 A |
Collector-Base Voltage | 80(V) |
Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 40 |
DC Current Gain (Min) | 40 |
Emitter-Base Voltage | 5(V) |
Frequency | 3(MHz) |
Frequency (Max) | 3 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-225 |
Packaging | Box |
Pin Count | 3+Tab |
Power Dissipation | 30(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | PNP |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | PNP |
Product Category | Bipolar Power |
Material | Si |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.3@0.1A@1A |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.6@0.1A@1A |
Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100000 |
Minimum DC Current Gain | 30@500mA@1V|40@50mA@1V|10@1A@1V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 3(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Automotive | No |
Supplier Package | TO-225 |
Military | No |
Package Height | 11.04(Max) |
Package Length | 7.74(Max) |
Package Width | 2.66(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 11.04 mm (Max) |
Длина | 7.74 mm (Max) |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.6 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | 2N4920 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-225-3 |
Ширина | 2.66 mm (Max) |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
Maximum DC Collector Current | -1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Mounting Type | Through Hole |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 198 КБ
Datasheet
pdf, 193 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet 2N4920G
pdf, 143 КБ
Документация
pdf, 150 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары