2N6045G

Фото 1/4 2N6045G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.180 руб.
от 10 шт.149 руб.
от 18 шт.136.08 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 8002981643

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор биполярный типа NPN Darlington 2N6045G от производителя ONSEMI – это надежный компонент для построения мощных электронных схем. Модель предназначена для монтажа в отверстия (THT) и имеет корпус TO220-3, который обеспечивает эффективный теплоотвод. Транзистор способен управлять током коллектора до 8 А при напряжении коллектор-эмиттер в 100 В, а его мощность достигает 75 Вт. Данный транзистор отличается высокой надежностью и долговечностью, что делает его идеальным выбором для усилительных и коммутационных устройств. Продукт с кодом 2N6045G станет ключевым элементом в различных электронных проектах, требующих эффективного управления мощными нагрузками. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN, Дарлингтон
Монтаж THT
Ток коллектора, А 8
Напряжение коллектор-эмиттер, В 100
Мощность, Вт 75
Корпус TO220-3

Технические параметры

Base-Emitter Saturation Voltage (Max) 4.5(V)
Collector Current (DC) 8(A)
Collector Current (DC) (Max) 8 A
Collector-Base Voltage 100(V)
Collector-Emitter Saturation Voltage 2(V)
Collector-Emitter Voltage 100(V)
Configuration Single
DC Current Gain 1000
Emitter-Base Voltage 5(V)
Maximum Collector Cut-off Current 20
Mounting Through Hole
Number of Elements 1
Operating Temp Range -65C to 150C
Operating Temperature Classification Military
Package Type TO-220AB
Packaging Rail/Tube
Pin Count 3+Tab
Polarity NPN
Power Dissipation 75(W)
Rad Hardened No
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4.5 V
Maximum Collector Base Voltage 100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 2 V
Maximum Collector Emitter Voltage 100 V
Maximum Continuous Collector Current 8 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 75 W
Minimum DC Current Gain 2500
Minimum Operating Temperature -65 °C
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Width 10.28mm
Вес, г 3.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 146 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 286 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов