Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2N6491G

2N6491G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

300 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 230 руб.

от 10 шт. — 205 руб.

от 28 шт. — 186.25 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 600 руб.

Номенклатурный номер: 8002981645

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 80В, 15А, 75Вт, TO220AB Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	PNP

Технические параметры

Configuration	Common Base
Current, Collector	15 A
Current, Gain	20
Dimensions	10.28x4.82x15.75 mm
Frequency, Operating	5 MHz
Height	15.75 mm
Length	10.28 mm
Material	Si
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220
Polarity	PNP
Power Dissipation	75 W
Primary Type	Si
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.67 °C/W
Temperature, Operating, Maximum	+150 °C
Temperature, Operating, Minimum	-65 °C
Temperature, Operating, Range	-65 to+150 °C
Transistor Type	PNP
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	80 V
Voltage, Collector to Base	90 V
Voltage, Collector to Emitter	80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	3.5 V
Voltage, Emitter to Base	5 V
Width	4.82 mm
Pd - рассеивание мощности	75 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.75 mm
Длина	10.53 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	20
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	15 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	90 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	15 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	5 MHz
Размер фабричной упаковки	50
Серия	2N6491
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Maximum Collector Base Voltage	90 V dc
Maximum Collector Emitter Voltage	-80 V
Maximum DC Collector Current	-15 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	1 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	75 W
Minimum DC Current Gain	20
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	2.68