MJ11033G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 590 руб.
от 2 шт. —
4 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 590 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 120V, TO-3-2; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:-50A; DC Current Gain hFE:400hFE; Transistor Case Style:TO-3; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:200°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 120 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 120 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 50 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 400, 1000 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 100 |
| Height | 8.51 mm |
| Length | 38.86 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 50 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-204-2(TO-3) |
| Packaging | Tray |
| Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Product Category | Darlington Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | MJ11033 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Width | 26.67 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 8.51 mm |
| Длина | 38.86 mm |
| Категория продукта | Транзисторы Дарлингтона |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 400, 1000 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 50 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 50 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Серия | MJ11033 |
| Тип продукта | Darlington Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | TO-204-2 (TO-3) |
| Ширина | 26.67 mm |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4.5 V |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 3.5 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum DC Current Gain | 400 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-204 |
| Pin Count | 2 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 14.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 116 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 57 КБ
Документация
pdf, 192 КБ
MJ11028, MJ11030, MJ11032 (NPN)
pdf, 116 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
