MJE15028G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Application Code:PGP; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):500mV; Continuous Collector Current Ic Max:8A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:4mA; Gain Bandwidth ft Min:30MHz; Gain Bandwidth ft Typ:30MHz; Hfe Min:40; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:50W; Voltage Vcbo:120V
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Collector Current (DC) | 8(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 8 A |
| Collector-Base Voltage | 120(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 120(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 40 |
| DC Current Gain (Min) | 40 |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Frequency | 30(MHz) |
| Frequency (Max) | 30 MHz |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-220AB |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3+Tab |
| Power Dissipation | 50(W) |
| Rad Hardened | No |
| Transistor Polarity | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 50 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 120 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | MJE15028 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 30 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
