MJE172G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 100В, 3А, 1,5Вт, TO225 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 3(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 3 A |
Collector-Base Voltage | 100(V) |
Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 50 |
DC Current Gain (Min) | 50 |
Emitter-Base Voltage | 7(V) |
Frequency | 50(MHz) |
Frequency (Max) | 50 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-225 |
Packaging | Box |
Pin Count | 3+Tab |
Power Dissipation | 1.5(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 11.04 mm |
Длина | 7.74 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | MJE172 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-225-3 |
Ширина | 2.66 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -80 V |
Maximum DC Collector Current | -3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
Maximum Operating Frequency | 10 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 12.5 W |
Minimum DC Current Gain | 50 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов