MJE182G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
98 руб.
от 10 шт. —
77 руб.
от 100 шт. —
57.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 320 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 80В, 3А, 15Вт, TO225
Технические параметры
| Category | Bipolar Power |
| Collector Current (DC) | 3(A) |
| Collector Current (DC) (Max) | 3 A |
| Collector-Base Voltage | 100(V) |
| Collector-Emitter Voltage | 80(V) |
| Configuration | Single |
| DC Current Gain | 50 |
| DC Current Gain (Min) | 50 |
| Emitter-Base Voltage | 7(V) |
| Frequency | 50(MHz) |
| Frequency (Max) | 50 MHz |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -65C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-225 |
| Packaging | Box |
| Pin Count | 3+Tab |
| Power Dissipation | 1.5(W) |
| Rad Hardened | No |
| Transistor Polarity | NPN |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Type | NPN |
| Product Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.5@150mA@1.5A|2@600mA@3A |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9@150mA@1.5A|0.3@50mA@500mA|1.7@600mA@3A |
| Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
| Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 100000 |
| Minimum DC Current Gain | 50@100mA@1V|12@1.5A@1V|30@500mA@1V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 12500 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Supplier Package | TO-225 |
| Military | No |
| Package Height | 11.04(Max) |
| Package Length | 7.74(Max) |
| Package Width | 2.66(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 11.04 mm (Max) |
| Длина | 7.74 mm (Max) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | MJE182 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-225-3 |
| Ширина | 2.66 mm (Max) |
| Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet MJE182G
pdf, 117 КБ
Документация
pdf, 176 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
