MJE5852G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
990 руб.
от 2 шт. —
860 руб.
от 5 шт. —
773 руб.
от 10 шт. —
732.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 990 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 400В, 8А, 80Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 450 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 400 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 8 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 15 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 8 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 80 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | MJE5852 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.83 mm |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 5 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,5 В |
| Длина | 10.28мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 400 V |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 80 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Ширина | 4.82мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 8 A |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 9.28мм |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| Размеры | 9.28 x 10.28 x 4.82мм |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 5 |
| Вес, г | 3.2 |
Техническая документация
Документация
pdf, 249 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
