MJH11022G

Фото 1/3 MJH11022G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 130 руб.
от 2 шт.2 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 130 руб.
Номенклатурный номер: 8002981965

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор: NPN, биполярный, Дарлингтон, 250В, 15А, 150Вт, TO247-3 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 250 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 250 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 15 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 100, 400
DC Current Gain hFE Max 15000
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 30
Height 12.2 mm
Length 15.2 mm
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 15 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 150 W
Product Category Darlington Transistors
RoHS Details
Series MJH11022
Transistor Polarity NPN
Unit Weight 0.229281 oz
Width 4.9 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 3.8 V
Maximum Collector Base Voltage 250 V
Maximum Collector Cut-off Current 5mA
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 4 V
Maximum Collector Emitter Voltage 250 V
Maximum Continuous Collector Current 15 A
Maximum Emitter Base Voltage 5 V
Maximum Power Dissipation 150 W
Minimum DC Current Gain 100
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 3.856

Техническая документация

Datasheet
pdf, 95 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MJH11021G
pdf, 131 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов