Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCP4N60

FCP4N60

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

740 руб.

от 2 шт. — 620 руб.

от 5 шт. — 540 руб.

от 6 шт. — 519.12 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 740 руб.

Номенклатурный номер: 8002983396

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Current Id Max:3.9A; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pulse Current Idm:11.7A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Continuous Drain Current	3.9(A)
Drain-Source On-Volt	600(V)
Gate-Source Voltage (Max)	'±30(V)
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	TO-220
Packaging	Rail/Tube
Pin Count	3+Tab
Polarity	N
Power Dissipation	50(W)
Rad Hardened	No
Type	Power MOSFET
Id - непрерывный ток утечки	3.9 A
Pd - рассеивание мощности	50 W
Qg - заряд затвора	16.6 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	45 ns
Время спада	30 ns
Высота	16.3 mm
Длина	10.67 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	3.2 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	FCP4N60
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	36 ns
Типичное время задержки при включении	16 ns
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	3.9 A
Maximum Drain Source Resistance	1.2 Ω
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	50 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Series	SuperFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	12.8 nC @ 10 V
Width	4.83mm
Вес, г	3