IXTT90P10P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-9 дней
6 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 030 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-268; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:90A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thresh 03AH1861
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 90(A) |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-268 |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | P |
| Power Dissipation | 462(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.025Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PolarP Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 90А |
| Полярность Транзистора | P Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 462Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.025Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-268(D3PAK) |
| Automotive | Unknown |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 90 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 25@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 462000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| PPAP | Unknown |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-268 |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 32 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 120 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 120@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5800@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 77 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 54 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 25 |
| Вес, г | 6.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 144 КБ
Datasheet IXTT90P10P
pdf, 134 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
