Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2N6288G

2N6288G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

560 руб.

от 2 шт. — 450 руб.

от 5 шт. — 371 руб.

от 10 шт. — 341.46 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8002987896

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

TRANSISTOR, NPN, 30V, 7A, TO-220AB; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:30hFE; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Category	Bipolar Power
Collector Current (DC)	7(A)
Collector-Base Voltage	40(V)
Collector-Emitter Voltage	30(V)
Configuration	Single
DC Current Gain	30
Emitter-Base Voltage	5(V)
Frequency	4(MHz)
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-65C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Output Power	Not Required(W)
Package Type	TO-220AB
Packaging	Rail/Tube
Pin Count	3+Tab
Power Dissipation	40(W)
Rad Hardened	No
Transistor Polarity	NPN
Pd - рассеивание мощности	40 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	9.28 mm (Max)
Длина	10.28 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	7 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	3.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	7 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	4 MHz
Размер фабричной упаковки	50
Серия	2N6288
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.82 mm (Max)
Automotive	No
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Lead Shape	Through Hole
Material	Si
Maximum Base Current (A)	3
Maximum Collector Base Voltage (V)	40
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	3.5@3A@7A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	30
Maximum DC Collector Current (A)	7
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	40000
Maximum Transition Frequency (MHz)	4(Min)
Minimum DC Current Gain	30@3A@4V\|2.3@7A@4V
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Number of Elements per Chip	1
Operating Junction Temperature (°C)	-65 to 150
Part Status	Active
PCB changed	3
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-220AB
Tab	Tab
Type	NPN
Вес, г	6