MJE5731G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
169 руб.
от 28 шт. —
151.25 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -350V, 40W, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-350V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:10hFE; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 350 V |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1@0.2A@1A V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 350 V |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Frequency | 10(Min)MHz |
| Maximum Power Dissipation | 40000 mW |
| Minimum DC Current Gain | 30@0.3A@10V|10@1A@10V |
| Mounting | Through Hole |
| Operating Temperature | -65 to 150 ?C |
| Package | 3TO-220AB |
| Packaging | Rail/Tube |
| Pin Count | 3 |
| Rad Hard | No |
| Type | PNP |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Bipolar Power |
| Material | Si |
| Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 350 |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 350 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1@0.2A@1A |
| Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 40000 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 10(Min) |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Package Height | 9.28(Max) |
| Package Length | 10.53(Max) |
| Package Width | 4.83(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.75 mm |
| Длина | 10.53 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | MJE5731 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
