IXFH60N50P3
1 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней
3 360 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 360 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N CH, 500V, 60A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power
Технические параметры
Brand | IXYS |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 30 |
Fall Time | 8 ns |
Forward Transconductance - Min | 60 S, 35 S |
Id - Continuous Drain Current | 60 A |
Manufacturer | IXYS |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 1040 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 96 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
Rise Time | 16 ns |
RoHS | Details |
Series | IXFH60N50 |
Technology | Si |
Tradename | HyperFET |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Unit Weight | 0.056438 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
Вес, г | 8.167 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
ST Microelectronics
3 520 руб.