Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › 2SC5964-TD-E

2SC5964-TD-E

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

180 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 120 руб.

от 10 шт. — 93 руб.

от 28 шт. — 78.75 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 360 руб.

Номенклатурный номер: 8002989138

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:380MHz; Power Dissipation Pd:3.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand	ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	-50 V, 100 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	-50 V, 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	-125 mV, 100 mV
Configuration	Single
Continuous Collector Current	-3 A, 3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	200
DC Current Gain hFE Max	560
Emitter- Base Voltage VEBO	-6 V, 6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product fT	390 MHz, 380 MHz
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	PCP-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	3.5 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	2SC5964
Transistor Polarity	NPN, PNP
Pd - рассеивание мощности	3.5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	560
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V, 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V, 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	125 mV, 100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V, 6 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A, 3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN, PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	390 MHz, 380 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2SC5964
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	PCP-3
Maximum Collector Base Voltage	100 V
Maximum Collector Emitter Voltage	50 V
Maximum DC Collector Current	3 A
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	1 MHz
Maximum Power Dissipation	3.5 W
Minimum DC Current Gain	200
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	PCP
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.04