Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › BC847CDW1G

BC847CDW1G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

97 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 43 руб.

от 10 шт. — 26 руб.

от 100 шт. — 12.11 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 194 руб.

Номенклатурный номер: 8002989350

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

TRANS, BIPOL, DUAL NPN, 45V, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:27

Технические параметры

Category	Bipolar Small Signal
Collector Current (DC)	0.1(A)
Collector Current (DC) (Max)	0.1 A
Collector-Base Voltage	50(V)
Collector-Emitter Voltage	45(V)
Configuration	Dual
DC Current Gain	420
DC Current Gain (Min)	420
Emitter-Base Voltage	6(V)
Frequency	100(MHz)
Frequency (Max)	100 MHz
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	2
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Output Power	Not Required(W)
Package Type	SC-88
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	6
Power Dissipation	0.38(W)
Rad Hardened	No
Transistor Polarity	NPN
Maximum Collector Base Voltage	50 V
Maximum Collector Emitter Voltage	45 V
Maximum DC Collector Current	100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	100 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	380 mW
Minimum DC Current Gain	420
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Вес, г	0.04