2SC3648S-TD-E

Фото 1/3 2SC3648S-TD-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.120 руб.
от 9 шт.100 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 360 руб.
Номенклатурный номер: 8002989853

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -160V, -0.7A, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-160V; Transition Frequency ft:120MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-700mA; DC Current Gain hFE:140hFE; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 180 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.4 V
Configuration Single
Continuous Collector Current 0.7 A
DC Current Gain hFE Max 400
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 1000
Gain Bandwidth Product fT 120 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.7 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case PCP-3
Packaging Reel
Pd - Power Dissipation 500 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series 2SC3648
Transistor Polarity NPN
Pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 400
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.7 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.4 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.7 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 120 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SC3648
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок PCP-3
Maximum Collector Base Voltage 180 V
Maximum Collector Emitter Voltage 160 V
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 120 MHz
Maximum Power Dissipation 1.3 W
Minimum DC Current Gain 140, 200
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type PCP
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 343 КБ
Datasheet
pdf, 349 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов