FGH75T65UPD

FGH75T65UPD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 390 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 390 руб.
Номенклатурный номер: 8002990401

Описание

Электроэлемент
IGBT, AEC-Q101, 650V, 150A, TO-247; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.69V; Power Dissipation Pd:375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:Trench Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Технические параметры

Current - Collector (Ic) (Max) 150A
Current - Collector Pulsed (Icm) 225A
Gate Charge 578nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Manufacturer ON Semiconductor
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case TO-247-3
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 375W
Reverse Recovery Time (trr) 85ns
Series Automotive, AEC-Q101
Standard Package 450
Supplier Device Package TO-247-3
Switching Energy 2.85mJ(on), 1.2mJ(off)
Td (on/off) @ 25В°C 32ns/166ns
Test Condition 400V, 75A, 3 Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Вес, г 6.39

Техническая документация

Datasheet
pdf, 522 КБ
Документация
pdf, 935 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов