Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › KSA1156YS, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon

KSA1156YS, Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

200 руб.

от 10 шт. — 170 руб.

от 100 шт. — 114 руб.

от 500 шт. — 91.33 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 200 руб.

Номенклатурный номер: 8006330830

Артикул: KSA1156YS

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

• PNP silicon transistor
• High voltage switching and low power switching regulator
• DC-DC converter
• High breakdown voltage
• Low collector saturation voltage
• High speed switching
• General usage and suitable for many different applications

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	400В
Continuous Collector Current	500мА
DC Current Gain hFE Min	100hFE
DC Усиление Тока hFE	100hFE
Power Dissipation	10Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	TO-126
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Category	Bipolar Power
Collector Current (DC)	0.5(A)
Collector-Base Voltage	400(V)
Configuration	Single
DC Current Gain	100@100MA@5V
Emitter-Base Voltage	7(V)
Mounting	Through Hole
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Output Power	Not Required(W)
Package Type	TO-126
Packaging	Bag
Pin Count	3+Tab
Rad Hardened	No
Transistor Polarity	PNP
Вес, г	0.761