STP9NK65ZFP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт. со склада г.Москва, срок 6-7 дней
880 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 880 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
N-channel 650 V - 1 Ohm - 6.4 A TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
Технические параметры
| Brand | STMicroelectronics |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 6 S |
| Height | 9.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 6.4 A |
| Length | 10.4 mm |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 41 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
| Rise Time | 12 ns |
| RoHS | Details |
| Series | N-channel MDmesh |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.75 V |
| Width | 4.6 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Qg - заряд затвора | 41 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.75 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 12 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Высота | 9.3 mm |
| Длина | 10.4 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | SuperMESH |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STP9NK65ZFP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.6 mm |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 6.4 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1200@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 30000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 15 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 41 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 41@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1145@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 12 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
