YJG80G06A, Транзистор N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5885 шт., срок 6 недель
320 руб.
от 5 шт. —
150 руб.
от 25 шт. —
118 руб.
от 100 шт. —
90.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Номенклатурный номер: 8003175513
Артикул: YJG80G06A
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, полевой, 60В, 50А, 38Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Вес, г | 0.14 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2134-Z, Транзистор N-MOSFET 200В 13А [D2PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294584.jpg)
![2SK2056, Транзистор, N-канал [2-10R1A / TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC005299884.jpg)
![2SK1117, Транзистор N-MOSFET 600В 6А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SK2605, Транзистор, N-канал, высокоскоростной ключ [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/227/DOC000227995.jpg)
![2SK2632, Транзистор, N-канал, высокоскоростной ключ [TO-220FI(LS)]](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC005547817.jpg)
