AUIRF3805S-7P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 340 руб.
от 2 шт. —
4 140 руб.
от 4 шт. —
3 980 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 340 руб.
Описание
Электроэлемент
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package, D2PAK7P, RoHS
Технические параметры
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 240 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2.6@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 300000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 7 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 130 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 130@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 7820@25V |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
AUIRF3805S-7P
pdf, 327 КБ
Документация
pdf, 743 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
