BC847BLT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/6 BC847BLT1G, Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 руб.
Мин. кол-во для заказа 12000 шт.
Кратность заказа 3000 шт.
от 18000 шт.3.20 руб.
Добавить в корзину 12000 шт. на сумму 48 000 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги20
Номенклатурный номер: 8003209503
Артикул: BC847BLT1G

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 50В, 0,1А, 225мВт, SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 50
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 15
Minimum DC Current Gain 200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW) 300
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.94
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Pd - рассеивание мощности 225 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.94 mm
Длина 2.9 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC847BL
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.3 mm
Brand ON Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Continuous Collector Current 0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min 200
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product FT 100 MHz
Manufacturer ON Semiconductor
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Pd - Power Dissipation 225 mW
Product Type BJTs-Bipolar Transistors
Series BC847BL
Subcategory Transistors
Transistor Polarity NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 167 КБ
BC846ALT1G Series
pdf, 222 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов