2N7002-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,08Вт; D2PAK

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

80 руб.

Мин. кол-во для заказа 10 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 45 руб.

от 250 шт. — 36 руб.

от 1000 шт. — 28.97 руб.

Добавить в корзину 10 шт. на сумму 800 руб.

Номенклатурный номер: 8003248874

Артикул: 2N7002-T1-GE3

Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors

Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,08Вт; D2PAK Характеристики

Case	SOT23
Drain current	0.115A
Drain-source voltage	60V
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	VISHAY
Mounting	SMD
On-state resistance	13.5Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	80mW
Pulsed drain current	0.8A
Type of transistor	N-MOSFET
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	0.115
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	7500@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	2.5
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	200
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	NRND
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-23
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	22@25V
Вес, г	0.03