SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
820 руб.
от 2 шт.700 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 820 руб.
Номенклатурный номер: 8003263454

Описание

Электроэлемент
Mosfet, P-Ch, 80V, 48A, 175Deg C, 136W Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD50P08-28_GE3

Технические параметры

Brand: Vishay/Siliconix
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1
Fall Time: 16 ns
Id - Continuous Drain Current: 48 A
Manufacturer: Vishay
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-252-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 136 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 145 nC
Qualification: AEC-Q101
Rds On - Drain-Source Resistance: 23 mOhms
Rise Time: 11 ns
Series: SQ
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: TrenchFET
Transistor Polarity: P-Channel
Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 65 ns
Typical Turn-On Delay Time: 15 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
Вес, г 0.793

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов