SQD50P08-28_GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
от 2 шт. —
700 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Описание
Электроэлемент
Mosfet, P-Ch, 80V, 48A, 175Deg C, 136W Rohs Compliant: Yes |Vishay SQD50P08-28_GE3
Технические параметры
Brand: | Vishay/Siliconix |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Fall Time: | 16 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 48 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 136 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 145 nC |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
Rise Time: | 11 ns |
Series: | SQ |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Вес, г | 0.793 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары