MJD200G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
132 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
Электроэлемент
25V 1.4W 45@2A,1V 5A 65MHz 1.8V@5A,1A NPN -65°C~+150°C@(Tj) TO-252-2(DPAK) BIpolar TransIstors - BJT
Технические параметры
| RoHS | Подробности |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы-BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Максимальное рассеяние мощности | 12.5 W |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 65 MHz |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки | 1800 |
| Серия | MJD200 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка | Reel |
| Упаковка / блок | TO-252-3(DPAK) |
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 2.5 1A 5A |
| Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1.8 1A 5A|0.3 50mA 500mA|0.75 200mA 2A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 25 |
| Maximum DC Collector Current (A) | 5 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1400 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 65(Min) |
| Minimum DC Current Gain | 70 500mA 1V|45 2A 1V|10 5A 2V |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Bipolar Power |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Tab | Tab |
| Type | NPN |
| Вес, г | 0.7455 |
Техническая документация
Datasheet MJD200G
pdf, 237 КБ
Документация
pdf, 244 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
