BD237, Trans GP BJT NPN 80V 2A 25000mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27327 шт., срок 7-9 недель
46 руб.
Мин. кол-во для заказа 800 шт.
от 1110 шт. —
44 руб.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 36 800 руб.
Альтернативные предложения5
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 100В, 2А, 25Вт, SOT32 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Base Product Number | BD237 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100ВµA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 2V |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
Package | Tube |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Power - Max | 25W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-32-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Brand | STMicroelectronics |
Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.6 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 2 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 2000 |
Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
Height | 10.8 mm(Max) |
Length | 7.8 mm(Max) |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 25 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | 500V Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Width | 2.7 mm(Max) |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 3 MHz |
Maximum Power Dissipation | 25 W |
Minimum DC Current Gain | 25 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-32 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары